ST2253型數字化式四檢測器測試英文儀是應用四自測探頭精確測量理的成語自測阻值率/方阻的經常用處標準化精確測量實驗實驗儀器。該實驗實驗儀器指導思想合理GB/T 1551-2009 《硅多晶硅硅阻值率測量法體例》、GB/T 1552-1995《硅、鍺多晶硅硅阻值率測量法直流電源四自測探頭法》并參照韓國 A.S.T.M 規范起來。
ST2253號碼(ma)檢(jian)測(ce)儀電氣成套造成：由機箱、加裝的四電極溫度探頭、檢驗臺和PC電腦軟件等邊緣結構。
ST2253數字9測試方法儀主機首要由緊密恒流源、高分辯率ADC、嵌入式單片機體系構成，USB通信接口。儀器主機一切參數設定、功效轉換全數接納數字化鍵盤和數碼開關輸出；具備零位、滿度自校功效；測試功效可主動/手動體例；儀器操縱可由配套軟件在PC機上操縱實現，也可脫PC機由四探針儀器面板上自力操縱實現。測試成果數據由主機數碼管間接顯現，也可連機由軟件界面同步顯現、闡發、保管和打印！
攝像頭加配：通過不同之處材料優點要，攝像頭可以幾十款選型。有高耐腐蝕氫氟酸處理鎢檢驗自測探針攝像頭，以檢驗硅類半導體行業行業、五金、導電朔料類等硬質的材料的內阻功率率/方阻；有球體鍍銀銅合金鋼檢驗自測探針攝像頭，可測撓性材料導電膠片、五金材料表層或膠片、衛浴陶瓷或夾絲玻璃等肌底上導電膜（ITO膜）或納米級材料表層等半導體行業行業材料的內阻功率率/方阻。更換四接插件檢驗工裝夾具，還可對內阻功率器體內阻功率、五金導體的低、中值內阻功率和開關按鈕類打戰內阻功率進行勘界。配通用攝像頭，也可檢驗手機電池極片等箔上材料表層內阻功率率方阻。
測試臺加配：一般的四探頭法試驗方法圖片熱敏熱敏電容值率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型試驗方法圖片臺。二探頭法試驗方法圖片熱敏熱敏電容值率試驗方法圖片選SZT-K型試驗方法圖片臺，也供選擇配SZT-D型試驗方法圖片臺以試驗方法圖片半導體芯片粉沫熱敏熱敏電容值率，加裝SZT-G型試驗方法圖片臺試驗方法圖片橡塑數據資料熱敏熱敏電容值率。
分析儀器符合勘界導致精度大、活洛度大、始終不變性好、智力化技術水平高、勘界簡約、戰略布局松松垮垮、利于便利店等杭州特色。
檢測設備共用于半導體設備技術材料知料廠電子器件廠、科研開發單元、高中檔學校對導體、半導體設備技術材料、類半導體設備技術材料知料的導變頻電動機能的測試英文。3.1 仗量規模性
電 阻：1×10-4～2×105 Ω ，分(fen)辯(bian)率：1×10-5～1×102 Ω
電阻器率(lv)：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辯率(lv)：1×10-5～1×102 Ω-cm
方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辯率：5×10-5～1×102 Ω/□
3.2 材質圖片尺寸(由選擇裝配各種檢查臺和各種檢查體例議案)
直 徑：SZT-A圓公測臺簡接公測體例 Φ15～130mm，手持型體例不限
SZT-B/C/F方測式臺間接性測式體例180mm×180mm，手握式體例不限.
長(高)度：公測臺舉例說明公測體例 H≤100mm, 攜便式體例不限.
側量定位: 軸徑、徑向都會
3.3. 4-1/2 個數字交流電壓表：
(1)量(liang)限： 20.00mV～2000mV
(2)誤差值：±0.1%讀數±2 字
3.4 機械恒流源
(1)滿量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA，1A
(2)測量誤差：±0.1%讀數±2 字
3.5 四檢測器紅外探頭（加裝音響其三或加配全數）
(1)氧(yang)化鎢測(ce)試(shi)電(dian)(dian)極：Φ0.5mm，漸近(jin)線測(ce)試(shi)電(dian)(dian)極間隙(xi)1.0mm，測(ce)試(shi)電(dian)(dian)極壓差: 0～2kg 可以(yi)調節(jie)
(2)塑料薄膜方阻探頭：Φ0.7mm，垂線或圓形探頭高度2.0mm，探頭的壓力: 0～0.6kg 能調
3.6. 外接電源
所在: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：<20W
3.7.外觀尺寸圖：
主 機 220mm（長）×245 mm（寬）×100mm（高）
凈 重：≤2.5kg
